用离子注入机，对比‘离子掺杂发’来说效果会更好一点。”

“因为高能离子注入机能将离子更深入的注入到氮化硅基底晶格里面去。”

“而且相对来说，使用高能离子注入机注入离子层需要的时间更短一些，更适合批量生产。”

“不过缺点也是有的，在使用高能离子注入机后，高速碰撞的离子会损坏氮化硅基底的晶格，需要进行一次（本章未完，请翻页）

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